上周，IEEE電子元件與技術會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關重要的技術。該技術被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進，包括應用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內的一些研究小組顯示的結果可能導致3D堆疊芯片之間的連接密度達到創(chuàng)紀錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬個鏈接。Imec設法在每2微米放置一次的
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混合鍵合 3D芯片
隨著半導體先進制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難，耗用的時間也越來越長，成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術的限制，并達到技術上的突破。也由于臺灣的半導體實力在全世界有目共睹，這使得默克決定在臺灣高雄成立其亞洲地區(qū)集成電路材料應用研究與開發(fā)中心。
默克研發(fā)中心的重點領域，包括用于薄膜制程的CVD/ALD材料，和用于后段封裝連接和黏晶的導電膠。默克對此研發(fā)中心的投資超過280萬歐元(約1億新臺幣)，此研發(fā)中心同時與
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3D芯片 摩爾定律
封裝技術的進步推動了三維(3D)集成系統(tǒng)的發(fā)展。3D集成系統(tǒng)可能對基于標準封裝集成技術系統(tǒng)的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統(tǒng)的設計和測試要求仍在不斷變化，但很顯然先進的測試自
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3D芯片 測試 堆疊
電子系統(tǒng)層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過去，由于軟件內容不多、產品制備不容易延滯，開發(fā)業(yè)者會先設計硬體，再完成軟件設計。時至今日，軟件內容大增，軟件設計逐漸比硬體占更多時間與成本，且是產品功能重要實現(xiàn)關鍵。
軟件功能受到重視之甚，使得硬體開始被視為支援軟件最佳化之平臺。現(xiàn)在許多開發(fā)業(yè)者會先設計軟件，并依據(jù)成本、功耗、存儲器容量、體積等軟件效能限制，去建造支援該軟件的硬體設計。
軟、硬體不只是技術層面需要顧及，還牽涉到公司結構問題，傳統(tǒng)公司部門分化根深蒂固
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臺積電 3D芯片
傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經開始量產第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進，在日本擴建Fab 2工廠準備3D閃存生產，Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存，現(xiàn)在也準備量產了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產第二代3D NAND閃存。
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美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠生產3D N
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美光 3D芯片
用光精確地控制神經元可以在腦科學研究和腦疾病治療方面掀起一場革命。
光遺傳學把光敏基因和光源結合在一起，用來選擇性地打開或關閉大腦。光遺傳學已經成為有希望的研究工具和潛在療法。不過，這一技術大部分時候只把光打到某個點上，而腦部活動經常包括不同區(qū)域以復雜的順序被激活。一個新的設備可以讓光遺傳學變成三維技術，把光的模式發(fā)送到腦部不同坐標的神經元上。
“在接下來的幾年里，會出現(xiàn)大量的類似設備，”布朗大學納米光學和神經工程實驗室(Nanophotonics and Neur
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3D芯片 腦神經
4月18日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術授權給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產力，以提高其在面對像蘋果這樣的大訂單時與臺積電的競爭力。
GlobalFoundries是全球第二大合同芯片制造商。而根據(jù)周五公布的聲明，該公司如今已從三星獲得了3D芯片制造工藝的授權，或稱為FinFET。
三星已計劃在今年第四季度展開14納米工藝的FinFET量產。公司希望不斷提高產能，以滿足當前日趨增加的市場需求。
3D晶體管比傳統(tǒng)平面
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GlobalFoundries 3D芯片
美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出，到了3D晶片時代，矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導體制程技術越趨復雜，每一道程式的精密控制均開出新的檢測需求，預料光學檢測設備扮演角色依舊吃重，甚至將自表面量測等現(xiàn)行主流用途，開展出更大應用空間。
光學檢測作為制程式控制制(processcontrol)的重要環(huán)節(jié)，無論是在半導體前段抑或后段制程，都扮演著決定成品可靠度的重要關鍵。隨著3D晶片時代箭在弦上，不僅晶片尺寸縮微，制程也更加精密，自動光
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3D芯片 光學檢測
來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術;專家們的結論是， 3D晶片堆疊技術已經準備就緒，但有需要再進一步降低成本。
由美國喬治亞理工大學(Georgia Tech)封裝研究中心(Packaging Research Center，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術研討會上，來自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠的專家明確指出，他們已經準備好為以中介層基礎的設計進行封裝與測試;此
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3D芯片 封測
來自全球11個國家、超過200位的半導體封裝技術專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術;專家們的結論是，3D晶片堆疊技術已經準備就緒，但有需要再進一步降低成本。
由美國喬治亞理工大學(GeorgiaTech)封裝研究中心(PackagingResearchCenter，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術研討會上，來自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠的專家明確指出，他們已經準備好為以中介層基礎的設計進行封裝與測試;此外晶圓代
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3D芯片 封測
臺積電、日月光、矽品等大廠積極架構2.5D及3DIC封測產能，一般預料明年將進入3DIC量產元年，啟動高階生產線及3DIC設備商機，國內主要設備供應商弘塑、辛耘及萬潤等業(yè)績吃香。
設備廠表示，3DIC可以改善存儲器產品的性能表現(xiàn)與可靠度，并可協(xié)助減低成本與縮小產品尺寸，現(xiàn)今全球包括臺積電、日月光、矽品、意法、三星、爾必達、美光、格羅方德、IBM、英特爾等多家公司都已陸續(xù)投入3DIC的研發(fā)與生產。
日月光集團研發(fā)中心總經理唐和明透露，目前3DIC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的
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臺積電 3D芯片
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點連 ...
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3D芯片 堆疊 距微凸點
GTC2012大會上，曾擔任斯坦福大學計算機科學系主任的NVIDIA首席科學家BillDally在接受EETimes采訪時談到了3D整合電路，技術層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現(xiàn)狀。
關于3D芯片方面，Dally稱GPU的未來存在著整合若干塊3D堆疊顯存的一條道路，這種設計比較有潛力發(fā)揮出更高的帶寬效果，同時整體功耗更低。此前開發(fā)出HyperMemoryCube的美光實際上已經與NVIDIA商議過這一點，但Dally表示由于NVIDIA只想要自己獨立設計芯片，而美光提出的要求帶有在價值鏈上攫
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驅動之家 3D芯片
您可能聽說過這樣的宣傳：隨著目前還是平面結構的裸片向多層結構的過渡，半導體制造基礎在今后幾年內將發(fā)生重大轉變。為了使這種多層結構具有可制造性，全球主要半導體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開始三維（
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多維 3D芯片 設計技術
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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3D芯片 堆疊
3d芯片介紹
世界上第一款3D芯片工藝已經準備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [
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